货期:国内(1~3工作日)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
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1 | ¥28.704434 | ¥28.70 |
50 | ¥22.718948 | ¥1135.95 |
100 | ¥19.472972 | ¥1947.30 |
500 | ¥17.309421 | ¥8654.71 |
1000 | ¥14.8212 | ¥14821.20 |
制造商 IXYS
商标名 HiPerFET
商标 IXYS
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 650 V
漏极电流 12 A
漏源电阻 310 mOhms
栅极电压 - 30 V, + 30 V
栅源极阈值电压 3 V
栅极电荷 18.5 nC
耗散功率 180 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 12 ns
正向跨导(Min) 4.8 S
上升时间 26 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 45 ns
典型接通延迟时间 27 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
单位重量 2 g
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0IXFP12N65X2
型号:IXFP12N65X2
品牌:IXYS
供货:锐单
单价:
1+: | ¥28.704434 |
50+: | ¥22.718948 |
100+: | ¥19.472972 |
500+: | ¥17.309421 |
1000+: | ¥14.8212 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥28.70