APT25GP120BDQ1G
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- 制造商编号：
- APT25GP120BDQ1G
- 制造商：
- MICROSEMI(美高森美)
- 产品类别：
- 晶体管-IGBT
- 商品描述：
- IGBT 1200V 69A 417W TO247
- 渠道：
- 国内现货digikey
库存 ：有货
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规格参数
属性
参数值
制造商型号
APT25GP120BDQ1G
制造商
MICROSEMI(美高森美)
商品描述
IGBT 1200V 69A 417W TO247
包装
Tube
系列
POWER MOS 7®
零件状态
Active
IGBT 类型
PT
电压 - 集射极击穿（最大值）
1200V
电流 - 集电极（Ic）（最大值）
69A
脉冲电流 - 集电极 (Icm)
90A
不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）
3.9V @ 15V, 25A
功率 - 最大值
417W
开关能量
500µJ (on), 440µJ (off)
输入类型
Standard
栅极电荷
110nC
25°C 时 Td（开/关）值
12ns/70ns
测试条件
600V, 25A, 5Ohm, 15V
反向恢复时间（trr）
-
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Through Hole
封装/外壳
TO-247-3
供应商器件封装
TO-247 [B]
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注
APT25GP120BDQ1G品牌厂家：MICROSEMI
，所属分类： 晶体管-IGBT
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。
APT25GP120BDQ1G
型号：APT25GP120BDQ1G
品牌：MICROSEMI
供货：锐单
库存：有货 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
货期：1-2天
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