
货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥32.584362 | ¥32.58 |
| 10 | ¥29.325926 | ¥293.26 |
| 25 | ¥27.671207 | ¥691.78 |
| 100 | ¥21.583598 | ¥2158.36 |
| 250 | ¥21.030796 | ¥5257.70 |
| 500 | ¥18.263393 | ¥9131.70 |
制造商 Infineon
商标名 OptiMOS
商标 Infineon Technologies
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 75 V
漏极电流 80 A
漏源电阻 4.4 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2.3 V
栅极电荷 68 nC
耗散功率 150 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 8 ns
正向跨导(Min) 52 S
上升时间 11 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 30 ns
典型接通延迟时间 14 ns
高度 4.4 mm
长度 10 mm
宽度 9.25 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 IPB049NE7N3 G SP000641752
单位重量 4 g
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0IPB049NE7N3GATMA1
型号:IPB049NE7N3GATMA1
品牌:INFINEON
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥32.584362 |
| 10+: | ¥29.325926 |
| 25+: | ¥27.671207 |
| 100+: | ¥21.583598 |
| 250+: | ¥21.030796 |
| 500+: | ¥18.263393 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥32.58