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IPB049NE7N3GATMA1

INFINEON(英飞凌)
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制造商编号:
IPB049NE7N3GATMA1
制造商:
INFINEON(英飞凌)
产品类别:
晶体管-FET,MOSFET-单个
商品描述:
MOSFET N-CH 75V 80A TO263-3
渠道:
digikey

库存 :2208

货期:(7~10天)

起订量:1

整装: ¥10

定价(含税)

数量 价格 总计
1 32.584362 32.58
10 29.325926 293.26
25 27.671207 691.78
100 21.583598 2158.36
250 21.030796 5257.70
500 18.263393 9131.70

规格参数

关键信息

制造商 Infineon

商标名 OptiMOS

商标 Infineon Technologies

技术类参数

技术 Si

晶体管极性 N-Channel

通道数量 1 Channel

漏源击穿电压 75 V

漏极电流 80 A

漏源电阻 4.4 mOhms

栅极电压 - 20 V, + 20 V

栅源极阈值电压 2.3 V

栅极电荷 68 nC

耗散功率 150 W

通道模式 Enhancement

配置 Single

下降时间 8 ns

正向跨导(Min) 52 S

上升时间 11 ns

晶体管类型 1 N-Channel

典型关闭延迟时间 30 ns

典型接通延迟时间 14 ns

外形参数

高度 4.4 mm

长度 10 mm

宽度 9.25 mm

物理类型

产品种类 MOSFET

安装风格 SMD/SMT

产品类型 MOSFET

零件号别名 IPB049NE7N3 G SP000641752

单位重量 4 g

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IPB049NE7N3GATMA1

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型号:IPB049NE7N3GATMA1

品牌:INFINEON

供货:锐单

库存:2208 MPQ:4000 MOQ:1

单价:

1+: ¥32.584362
10+: ¥29.325926
25+: ¥27.671207
100+: ¥21.583598
250+: ¥21.030796
500+: ¥18.263393

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