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APT45GP120B2DQ2G

MICROSEMI(美高森美)
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制造商编号:
APT45GP120B2DQ2G
制造商:
MICROSEMI(美高森美)
产品类别:
晶体管-IGBT
商品描述:
IGBT 1200V 113A 625W TMAX
渠道:
国内现货
digikey

库存 :有货

货期:国内(1~3工作日)

起订量:1

整装: ¥10

定价(含税)

数量 价格 总计
1 148.044217 148.04
100 127.787997 12778.80

规格参数

属性
参数值

制造商型号

APT45GP120B2DQ2G

制造商

MICROSEMI(美高森美)

商品描述

IGBT 1200V 113A 625W TMAX

包装

Tube

系列

POWER MOS 7®

零件状态

Active

IGBT 类型

PT

电压 - 集射极击穿(最大值)

1200V

电流 - 集电极(Ic)(最大值)

113A

脉冲电流 - 集电极 (Icm)

170A

不同 Vge,Ic 时的 Vce(on)

3.9V @ 15V, 45A

功率 - 最大值

625W

开关能量

900µJ (on), 905µJ (off)

输入类型

Standard

栅极电荷

185nC

25°C 时 Td(开/关)值

18ns/100ns

测试条件

600V, 45A, 5Ohm, 15V

反向恢复时间(trr)

-

工作温度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安装类型

Through Hole

封装/外壳

TO-247-3 Variant

供应商器件封装

-

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型号:APT45GP120B2DQ2G

品牌:MICROSEMI

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