STP35N60M2-EP
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起订量：1000
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1000 | ￥26.6873 | ￥26687.30 |
规格参数
属性
参数值
制造商型号
STP35N60M2-EP
制造商
ST(意法半导体)
商品描述
MOSFET
包装
Tape & Reel (TR)
系列
MDmesh™ M2-EP
零件状态
Active
FET 类型
N-Channel
技术
MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压（Vdss）
600V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
-
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
-
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
-
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
-
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）
-
Vgs（最大值）
-
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
-
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
-
工作温度
150°C (TJ)
安装类型
Through Hole
供应商器件封装
TO-220
封装/外壳
TO-220-3
STP35N60M2-EP 同类别型号
注
STP35N60M2-EP品牌厂家：ST
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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替代型号
、STP35N60M2-EP
数据手册PDF。
STP35N60M2-EP
型号：STP35N60M2-EP
品牌：ST
供货：锐单
库存：0 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1000+： | ￥26.6873 |
货期：7-10天
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