商品描述
MOSFET 2N-CH 60V 6.1A PPAK SO-8
FET 类型
2 N-Channel (Dual)
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
6.1A
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)
23mOhm @ 9.6A, 10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
4.5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值)
65nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
-
封装/外壳
PowerPAK® SO-8 Dual
供应商器件封装
PowerPAK® SO-8 Dual