IRFSL38N20DPBF
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- 制造商编号：
- IRFSL38N20DPBF
- 制造商：
- INFINEON(英飞凌)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-单个
- 商品描述：
- MOSFET N-CH 200V 43A TO-262-3
- 渠道：
- 国内现货digikey
库存 ：有货
货期：国内（1~3工作日）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥8.836741 | ￥8.84 |
规格参数
关键信息
制造商 Infineon
商标 Infineon / IR
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 200 V
漏极电流 44 A
漏源电阻 54 mOhms
栅极电压 - 30 V, + 30 V
栅源极阈值电压 5 V
栅极电荷 60 nC
耗散功率 320 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 47 ns
上升时间 95 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 29 ns
典型接通延迟时间 16 ns
外形参数
高度 9.45 mm
长度 10.2 mm
宽度 4.5 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
类型 Smps MOSFET
单位重量 2.387 g
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注
IRFSL38N20DPBF品牌厂家：INFINEON
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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替代型号
、IRFSL38N20DPBF
数据手册PDF。
IRFSL38N20DPBF
型号：IRFSL38N20DPBF
品牌：INFINEON
供货：锐单
库存：有货 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥8.836741 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥8.84