DGTD65T40S1PT
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- 制造商编号：
- DGTD65T40S1PT
- 制造商：
- DIODES(美台)
- 产品类别：
- 晶体管-IGBT
- 商品描述：
- IGBT 600V-X TO247 TUBE 0.45K
- 渠道：
- digikey
库存 ：0
货期： 8周-10周
起订量：450
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 450 | ￥44.08905 | ￥19840.07 |
规格参数
关键信息
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
技术类参数
技术 Si
配置 Single
击穿电压(集电极-发射极) 650 V
饱和电压 1.95 V
栅极/发射极最大电压 20 V
在25 C的连续集电极电流 80 A
耗散功率 341 W
集电极连续电流（Max） 80 A
栅极—射极漏泄电流 100 nA
物理类型
产品种类 IGBT 晶体管
安装风格 Through Hole
产品类型 IGBT Transistors
单位重量 5.600 g
DGTD65T40S1PT 同类别型号
注
DGTD65T40S1PT
型号：DGTD65T40S1PT
品牌：DIODES
供货：锐单
库存：0 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 450+： | ￥44.08905 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥0.00