
货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥25.784141 | ¥25.78 |
| 10 | ¥23.120722 | ¥231.21 |
| 100 | ¥18.588666 | ¥1858.87 |
| 500 | ¥15.272145 | ¥7636.07 |
| 1000 | ¥12.654062 | ¥12654.06 |
制造商 Taiwan Semiconductor
商标 Taiwan Semiconductor
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 600 V
漏极电流 1 A
漏源电阻 8 Ohms
栅源极阈值电压 2.5 V
栅极电荷 6.1 nC
耗散功率 39 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 14.9 ns
正向跨导(Min) 0.8 S
上升时间 6.8 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 15.3 ns
典型接通延迟时间 7.7 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
零件号别名 TSM1NB60CH
单位重量 340 mg
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0TSM1NB60CH C5G
型号:TSM1NB60CH C5G
品牌:Taiwan Semiconductor
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥25.784141 |
| 10+: | ¥23.120722 |
| 100+: | ¥18.588666 |
| 500+: | ¥15.272145 |
| 1000+: | ¥12.654062 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥25.78