
货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥44.218567 | ¥44.22 |
| 10 | ¥38.290835 | ¥382.91 |
| 30 | ¥37.201057 | ¥1116.03 |
| 100 | ¥36.111279 | ¥3611.13 |
| 500 | ¥35.632437 | ¥17816.22 |
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
技术 Si
配置 Single
击穿电压(集电极-发射极) 650 V
饱和电压 1.85 V
栅极/发射极最大电压 20 V
在25 C的连续集电极电流 100 A
耗散功率 428 W
集电极连续电流(Max) 100 A
栅极—射极漏泄电流 100 nA
产品种类 IGBT 晶体管
安装风格 Through Hole
产品类型 IGBT Transistors
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0DGTD65T60S2PT
型号:DGTD65T60S2PT
品牌:DIODES
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥44.218567 |
| 10+: | ¥38.290835 |
| 30+: | ¥37.201057 |
| 100+: | ¥36.111279 |
| 500+: | ¥35.632437 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥44.22