NDD03N80Z-1G
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- 制造商编号：
- NDD03N80Z-1G
- 制造商：
- ON(安森美)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-单个
- 商品描述：
- MOSFET N-CH 800V 2.9A IPAK
- 渠道：
- 国内现货digikey
库存 ：有货
货期：国内（1~3工作日）
起订量：701
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 701 | ￥2.448575 | ￥1716.45 |
规格参数
关键信息
制造商 onsemi
商标 onsemi
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 800 V
漏极电流 2.9 A
漏源电阻 4.5 Ohms
栅极电压 - 30 V, + 30 V
栅源极阈值电压 4.5 V
栅极电荷 17 nC
耗散功率 96 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
湿度敏感性 Yes
晶体管类型 1 N-Channel
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
单位重量 6 g
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注
NDD03N80Z-1G品牌厂家：ON
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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替代型号
、NDD03N80Z-1G
数据手册PDF。
NDD03N80Z-1G
型号：NDD03N80Z-1G
品牌：ON
供货：锐单
库存：有货 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 701+： | ￥2.448575 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥0.00