NDD60N745U1-35G
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- 制造商编号：
- NDD60N745U1-35G
- 制造商：
- ON(安森美)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-单个
- 商品描述：
- MOSFET N-CH 600V 6.8A IPAK-3
- 渠道：
- digikey
库存 ：0
货期： 8周-10周
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ ： 需询价 | ||
规格参数
关键信息
制造商 onsemi
商标 onsemi
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 600 V
漏极电流 6.6 A
漏源电阻 610 mOhms
栅极电压 - 25 V, + 25 V
栅源极阈值电压 4 V
栅极电荷 15 nC
耗散功率 84 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 7 ns
正向跨导（Min） 5.6 S
湿度敏感性 Yes
上升时间 10 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 19 ns
典型接通延迟时间 8 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
单位重量 4 g
NDD60N745U1-35G 同类别型号
注
NDD60N745U1-35G品牌厂家：ON
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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替代型号
、NDD60N745U1-35G
数据手册PDF。
NDD60N745U1-35G
型号：NDD60N745U1-35G
品牌：ON
供货：锐单
库存：0 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
货期：1-2天
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