SI4888DY-T1-E3
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- 制造商编号：
- SI4888DY-T1-E3
- 制造商：
- SILICONIX(威世)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-单个
- 商品描述：
- MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOIC
- 渠道：
- digikey
库存 ：0
货期： 8周-10周
起订量：17
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 17 | ￥5.686165 | ￥96.66 |
| 50 | ￥5.686165 | ￥284.31 |
| 100 | ￥5.686165 | ￥568.62 |
| 300 | ￥5.686165 | ￥1705.85 |
| 500 | ￥5.686165 | ￥2843.08 |
| 1000 | ￥5.686165 | ￥5686.16 |
规格参数
属性
参数值
制造商型号
SI4888DY-T1-E3
制造商
SILICONIX(威世)
商品描述
MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOIC
包装
Digi-Reel®
系列
TrenchFET®
零件状态
Obsolete
FET 类型
N-Channel
技术
MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压（Vdss）
30V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
11A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
7mOhm @ 16A, 10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
1.6V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）
24nC @ 5V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
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FET 功能
-
功率耗散（最大值）
1.6W (Ta)
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
供应商器件封装
8-SO
封装/外壳
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
SI4888DY-T1-E3 同类别型号
注
SI4888DY-T1-E3品牌厂家：SILICONIX
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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数据手册PDF。
SI4888DY-T1-E3
型号：SI4888DY-T1-E3
品牌：SILICONIX
供货：锐单
库存：0 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 17+： | ￥5.686165 |
| 50+： | ￥5.686165 |
| 100+： | ￥5.686165 |
| 300+： | ￥5.686165 |
| 500+： | ￥5.686165 |
| 1000+： | ￥5.686165 |
货期：7-10天
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