货期:国内(1~3工作日)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥17.161173 | ¥17.16 |
10 | ¥15.430755 | ¥154.31 |
100 | ¥12.402523 | ¥1240.25 |
500 | ¥10.190019 | ¥5095.01 |
1000 | ¥9.2636 | ¥9263.60 |
制造商 onsemi
商标 onsemi
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 100 V
漏极电流 76 A
漏源电阻 8.5 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2 V
栅极电荷 34 nC
耗散功率 107 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 4 ns
正向跨导(Min) 68 S
上升时间 11 ns
典型关闭延迟时间 18 ns
典型接通延迟时间 12 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
单位重量 2 g
购物车
0FDP8D5N10C
型号:FDP8D5N10C
品牌:ON
供货:锐单
单价:
1+: | ¥17.161173 |
10+: | ¥15.430755 |
100+: | ¥12.402523 |
500+: | ¥10.190019 |
1000+: | ¥9.2636 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥17.16