货期: 8周-10周
起订量:240
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
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240 | ¥28.146034 | ¥6755.05 |
制造商 Infineon
商标名 CoolMOS
商标 Infineon Technologies
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 650 V
漏极电流 17.5 A
漏源电阻 190 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 3.5 V
栅极电荷 68 nC
耗散功率 151 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 6.4 ns
上升时间 8.4 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 53.2 ns
典型接通延迟时间 12 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
零件号别名 IPW65R190CFD SP001987376
单位重量 6 g
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0IPW65R190CFDFKSA2
型号:IPW65R190CFDFKSA2
品牌:INFINEON
供货:锐单
单价:
240+: | ¥28.146034 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥0.00