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制造商 Vishay
商标 Vishay Semiconductors
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 250 V
漏极电流 14.4 A
漏源电阻 102 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2 V
栅极电荷 22.4 nC
耗散功率 56.8 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 10 ns
正向跨导(Min) 11 S
上升时间 5 ns
典型关闭延迟时间 23 ns
典型接通延迟时间 13 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 506.600 mg
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0SI7190ADP-T1-RE3
型号:SI7190ADP-T1-RE3
品牌:SILICONIX
供货:锐单
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