FGH40N65UFDTU-F085
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定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
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| 1+ ： 需询价 | ||
规格参数
关键信息
制造商 onsemi
商标 onsemi / Fairchild
技术类参数
技术 Si
配置 Single
击穿电压(集电极-发射极) 650 V
饱和电压 1.8 V
栅极/发射极最大电压 20 V
在25 C的连续集电极电流 80 A
耗散功率 290 W
集电极连续电流（Max） 40 A
栅极—射极漏泄电流 +/- 400 nA
物理类型
产品种类 IGBT 晶体管
安装风格 Through Hole
资格 AEC-Q101
产品类型 IGBT Transistors
零件号别名 FGH40N65UFDTU_F085
单位重量 6.390 g
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注
FGH40N65UFDTU-F085品牌厂家：ON
，所属分类： 晶体管-IGBT
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数据手册PDF。
FGH40N65UFDTU-F085
型号：FGH40N65UFDTU-F085
品牌：ON
供货：锐单
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