IRFH3702TR2PBF
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- 制造商编号：
- IRFH3702TR2PBF
- 制造商：
- INFINEON(英飞凌)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-单个
- 商品描述：
- MOSFET N-CH 30V 16A 8PQFN
- 渠道：
- digikey
库存 ：0
货期： 8周-10周
起订量：23
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 23 | ￥8.529329 | ￥196.17 |
| 50 | ￥8.18803 | ￥409.40 |
| 100 | ￥7.846896 | ￥784.69 |
| 300 | ￥7.505598 | ￥2251.68 |
| 500 | ￥7.164629 | ￥3582.31 |
| 1000 | ￥6.823331 | ￥6823.33 |
规格参数
属性
参数值
制造商型号
IRFH3702TR2PBF
制造商
INFINEON(英飞凌)
商品描述
MOSFET N-CH 30V 16A 8PQFN
包装
Digi-Reel®
Alternate Packaging
系列
HEXFET®
零件状态
Obsolete
FET 类型
N-Channel
技术
MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压（Vdss）
30V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
16A (Ta), 42A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
-
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
7.1mOhm @ 16A, 10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
2.35V @ 25µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）
14nC @ 4.5V
Vgs（最大值）
-
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
1510pF @ 15V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
-
工作温度
-
安装类型
Surface Mount
供应商器件封装
8-PQFN (3x3)
封装/外壳
8-PowerVDFN
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注
IRFH3702TR2PBF品牌厂家：INFINEON
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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、IRFH3702TR2PBF
数据手册PDF。
IRFH3702TR2PBF
型号：IRFH3702TR2PBF
品牌：INFINEON
供货：锐单
库存：0 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 23+： | ￥8.529329 |
| 50+： | ￥8.18803 |
| 100+： | ￥7.846896 |
| 300+： | ￥7.505598 |
| 500+： | ￥7.164629 |
| 1000+： | ￥6.823331 |
货期：7-10天
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单价：￥0.00总价：￥0.00