
货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥41.787124 | ¥41.79 |
| 10 | ¥35.085709 | ¥350.86 |
| 100 | ¥28.387389 | ¥2838.74 |
| 500 | ¥25.232924 | ¥12616.46 |
| 1000 | ¥21.605647 | ¥21605.65 |
| 2000 | ¥20.344141 | ¥40688.28 |
制造商 Infineon
商标 Infineon Technologies
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 40 V
漏极电流 100 A
漏源电阻 1 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1.2 V
栅极电荷 133 nC
耗散功率 139 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 9 ns
正向跨导(Min) 140 S
上升时间 12 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 46 ns
典型接通延迟时间 10 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 BSC010N04LST SP001657068
单位重量 104.400 mg
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0BSC010N04LSTATMA1
型号:BSC010N04LSTATMA1
品牌:INFINEON
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥41.787124 |
| 10+: | ¥35.085709 |
| 100+: | ¥28.387389 |
| 500+: | ¥25.232924 |
| 1000+: | ¥21.605647 |
| 2000+: | ¥20.344141 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥41.79