
货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥12.042046 | ¥12.04 |
| 10 | ¥10.582833 | ¥105.83 |
| 25 | ¥9.945314 | ¥248.63 |
| 100 | ¥7.216727 | ¥721.67 |
| 250 | ¥6.960019 | ¥1740.00 |
| 500 | ¥6.03009 | ¥3015.05 |
| 1000 | ¥5.131896 | ¥5131.90 |
| 2500 | ¥4.811152 | ¥12027.88 |
| 5000 | ¥4.330036 | ¥21650.18 |
制造商 Infineon
商标名 CoolMOS
商标 Infineon Technologies
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 800 V
漏极电流 2.5 A
漏源电阻 2 Ohms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2.5 V
栅极电荷 7.5 nC
耗散功率 22 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 30 ns
上升时间 10 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 40 ns
典型接通延迟时间 8 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
零件号别名 IPS80R2K4P7 SP001644624
单位重量 333.850 mg
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0IPS80R2K4P7AKMA1
型号:IPS80R2K4P7AKMA1
品牌:INFINEON
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥12.042046 |
| 10+: | ¥10.582833 |
| 25+: | ¥9.945314 |
| 100+: | ¥7.216727 |
| 250+: | ¥6.960019 |
| 500+: | ¥6.03009 |
| 1000+: | ¥5.131896 |
| 2500+: | ¥4.811152 |
| 5000+: | ¥4.330036 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥12.04