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SI4425BDY-T1-GE3

SILICONIX(威世)
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制造商编号:
SI4425BDY-T1-GE3
制造商:
SILICONIX(威世)
产品类别:
晶体管-FET,MOSFET-单个
商品描述:
MOSFET P-CH 30V 8.8A 8-SOIC
渠道:
digikey

库存 :2666

货期:(7~10天)

起订量:1

整装: ¥10

定价(含税)

数量 价格 总计
1 23.38722 23.39
10 19.393976 193.94
100 15.435565 1543.56
500 13.060768 6530.38
1000 11.08181 11081.81

规格参数

关键信息

制造商 Vishay

商标名 TrenchFET

商标 Vishay / Siliconix

技术类参数

技术 Si

晶体管极性 P-Channel

通道数量 1 Channel

漏源击穿电压 30 V

漏极电流 11.4 A

漏源电阻 12 mOhms

栅极电压 - 20 V, + 20 V

栅源极阈值电压 3 V

栅极电荷 100 nC

耗散功率 2.5 W

通道模式 Enhancement

配置 Single

外形参数

高度 1.75 mm

长度 4.9 mm

宽度 3.9 mm

物理类型

产品种类 MOSFET

安装风格 SMD/SMT

产品类型 MOSFET

零件号别名 SI4425BDY-GE3

单位重量 187 mg

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SI4425BDY-T1-GE3

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型号:SI4425BDY-T1-GE3

品牌:SILICONIX

供货:锐单

库存:2666 MPQ:4000 MOQ:1

单价:

1+: ¥23.38722
10+: ¥19.393976
100+: ¥15.435565
500+: ¥13.060768
1000+: ¥11.08181

货期:7-10天

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