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制造商 ROHM Semiconductor
商标 ROHM Semiconductor
技术 Si
击穿电压(集电极-发射极) 650 V
饱和电压 1.6 V
栅极/发射极最大电压 30 V
在25 C的连续集电极电流 50 A
耗散功率 174 W
集电极连续电流 25 A
集电极连续电流(Max) 50 A
栅极—射极漏泄电流 +/- 200 nA
工作温度范围 - 40 C to + 175 C
产品种类 IGBT 晶体管
安装风格 Through Hole
产品类型 IGBT Transistors
零件号别名 RGTH50TS65
单位重量 38 g
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0RGTH50TS65GC11
型号:RGTH50TS65GC11
品牌:ROHM
供货:锐单
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