货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
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1 | ¥42.2576 | ¥42.26 |
10 | ¥37.932992 | ¥379.33 |
25 | ¥35.862124 | ¥896.55 |
100 | ¥28.690687 | ¥2869.07 |
250 | ¥27.09676 | ¥6774.19 |
500 | ¥25.502833 | ¥12751.42 |
1000 | ¥22.314979 | ¥22314.98 |
制造商 ROHM Semiconductor
商标 ROHM Semiconductor
技术 Si
配置 Single
击穿电压(集电极-发射极) 650 V
饱和电压 1.6 V
栅极/发射极最大电压 30 V
在25 C的连续集电极电流 70 A
耗散功率 234 W
栅极—射极漏泄电流 200 nA
产品种类 IGBT 晶体管
安装风格 Through Hole
产品类型 IGBT Transistors
零件号别名 RGTH80TS65
单位重量 6 g
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0RGTH80TS65GC11
型号:RGTH80TS65GC11
品牌:ROHM
供货:锐单
单价:
1+: | ¥42.2576 |
10+: | ¥37.932992 |
25+: | ¥35.862124 |
100+: | ¥28.690687 |
250+: | ¥27.09676 |
500+: | ¥25.502833 |
1000+: | ¥22.314979 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥42.26