RGTH80TS65GC11
库存 ：242
货期：（7~10天）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥48.451529 | ￥48.45 |
| 10 | ￥43.493039 | ￥434.93 |
| 25 | ￥41.11863 | ￥1027.97 |
| 100 | ￥32.896037 | ￥3289.60 |
| 250 | ￥31.068481 | ￥7767.12 |
| 500 | ￥29.240923 | ￥14620.46 |
| 1000 | ￥25.585807 | ￥25585.81 |
规格参数
关键信息
制造商 ROHM Semiconductor
商标 ROHM Semiconductor
技术类参数
技术 Si
配置 Single
击穿电压(集电极-发射极) 650 V
饱和电压 1.6 V
栅极/发射极最大电压 30 V
在25 C的连续集电极电流 70 A
耗散功率 234 W
栅极—射极漏泄电流 200 nA
物理类型
产品种类 IGBT 晶体管
安装风格 Through Hole
产品类型 IGBT Transistors
零件号别名 RGTH80TS65
单位重量 6 g
RGTH80TS65GC11 同类别型号
注
RGTH80TS65GC11
型号：RGTH80TS65GC11
品牌：ROHM
供货：锐单
库存：242 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥48.451529 |
| 10+： | ￥43.493039 |
| 25+： | ￥41.11863 |
| 100+： | ￥32.896037 |
| 250+： | ￥31.068481 |
| 500+： | ￥29.240923 |
| 1000+： | ￥25.585807 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥48.45