
货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥43.432949 | ¥43.43 |
| 10 | ¥36.40367 | ¥364.04 |
| 100 | ¥29.454399 | ¥2945.44 |
| 500 | ¥26.181782 | ¥13090.89 |
制造商 Infineon
商标 Infineon Technologies
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 40 V
漏极电流 120 A
漏源电阻 1.58 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2 V
栅极电荷 134 nC
耗散功率 158 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 30 ns
上升时间 16 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 30 ns
典型接通延迟时间 27 ns
高度 4.4 mm
长度 10 mm
宽度 9.25 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 MOSFET
零件号别名 IPB120N04S4-02 SP000764726
单位重量 4 g
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0IPB120N04S402ATMA1
型号:IPB120N04S402ATMA1
品牌:INFINEON
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥43.432949 |
| 10+: | ¥36.40367 |
| 100+: | ¥29.454399 |
| 500+: | ¥26.181782 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥43.43