货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
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1 | ¥84.483678 | ¥84.48 |
100 | ¥48.831481 | ¥4883.15 |
450 | ¥30.959285 | ¥13931.68 |
制造商 ROHM Semiconductor
商标 ROHM Semiconductor
技术 Si
配置 Single
击穿电压(集电极-发射极) 650 V
饱和电压 1.65 V
栅极/发射极最大电压 30 V
在25 C的连续集电极电流 85 A
耗散功率 277 W
栅极—射极漏泄电流 200 nA
产品种类 IGBT 晶体管
安装风格 Through Hole
产品类型 IGBT Transistors
零件号别名 RGT00TS65D
单位重量 6 g
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0RGT00TS65DGC11
型号:RGT00TS65DGC11
品牌:ROHM
供货:锐单
单价:
1+: | ¥84.483678 |
100+: | ¥48.831481 |
450+: | ¥30.959285 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥84.48