货期: 8周-10周
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥39.064044 | ¥39.06 |
10 | ¥35.074776 | ¥350.75 |
100 | ¥28.73338 | ¥2873.34 |
500 | ¥24.46001 | ¥12230.01 |
1000 | ¥20.628894 | ¥20628.89 |
2000 | ¥19.597484 | ¥39194.97 |
制造商 Infineon
商标名 OptiMOS
商标 Infineon Technologies
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 120 V
漏极电流 98 A
漏源电阻 7.7 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2 V
栅极电荷 66 nC
耗散功率 139 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 7 ns
正向跨导(Min) 40 S
上升时间 8 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 26 ns
典型接通延迟时间 15 ns
高度 1.27 mm
长度 5.9 mm
宽度 5.15 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 BSC077N12NS3 G SP000652750
单位重量 104.400 mg
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0BSC077N12NS3GATMA1
型号:BSC077N12NS3GATMA1
品牌:INFINEON
供货:锐单
单价:
1+: | ¥39.064044 |
10+: | ¥35.074776 |
100+: | ¥28.73338 |
500+: | ¥24.46001 |
1000+: | ¥20.628894 |
2000+: | ¥19.597484 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥39.06