商品描述
TRANS SJT 1200V 160A SOT227
技术
SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
160A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
-
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)
10mOhm @ 100A
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值)
-
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
14400pF @ 800V
封装/外壳
SOT-227-4, miniBLOC