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数量 | 价格 | 总计 |
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1+ : 需询价 |
制造商 Infineon
商标 Infineon / IR
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 55 V
漏极电流 16 A
漏源电阻 46 mOhms
栅极电压 - 16 V, + 16 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 9.9 nC
耗散功率 35 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 16 ns
正向跨导(Min) 7.4 S
上升时间 43 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 19 ns
典型接通延迟时间 8.2 ns
高度 6.22 mm
长度 6.73 mm
宽度 2.38 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
零件号别名 SP001521312
单位重量 340 mg
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0AUIRLU024Z
型号:AUIRLU024Z
品牌:INFINEON
供货:锐单
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