货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
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1 | ¥148.642948 | ¥148.64 |
10 | ¥134.322318 | ¥1343.22 |
25 | ¥128.072641 | ¥3201.82 |
100 | ¥111.2042 | ¥11120.42 |
500 | ¥103.141895 | ¥51570.95 |
制造商 onsemi
商标 onsemi
技术 Si
配置 Single
击穿电压(集电极-发射极) 650 V
饱和电压 1.64 V
栅极/发射极最大电压 20 V
在25 C的连续集电极电流 100 A
耗散功率 595 W
栅极—射极漏泄电流 200 nA
产品种类 IGBT 晶体管
安装风格 Through Hole
产品类型 IGBT Transistors
单位重量 11.200 g
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0NGTB60N65FL2WG
型号:NGTB60N65FL2WG
品牌:ON
供货:锐单
单价:
1+: | ¥148.642948 |
10+: | ¥134.322318 |
25+: | ¥128.072641 |
100+: | ¥111.2042 |
500+: | ¥103.141895 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥148.64