RGT8NL65DGTL
库存 ：1000
货期：（7~10天）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥20.634559 | ￥20.63 |
| 10 | ￥18.534036 | ￥185.34 |
| 25 | ￥17.486245 | ￥437.16 |
| 100 | ￥13.637344 | ￥1363.73 |
| 250 | ￥13.287668 | ￥3321.92 |
| 500 | ￥11.53929 | ￥5769.64 |
规格参数
关键信息
制造商 ROHM Semiconductor
商标 ROHM Semiconductor
技术类参数
技术 Si
配置 Single
击穿电压(集电极-发射极) 650 V
饱和电压 1.65 V
栅极/发射极最大电压 30 V
在25 C的连续集电极电流 8 A
耗散功率 65 W
栅极—射极漏泄电流 200 nA
物理类型
产品种类 IGBT 晶体管
安装风格 SMD/SMT
产品类型 IGBT Transistors
零件号别名 RGT8NL65D
RGT8NL65DGTL 同类别型号
注
RGT8NL65DGTL
型号：RGT8NL65DGTL
品牌：ROHM
供货：锐单
库存：1000 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥20.634559 |
| 10+： | ￥18.534036 |
| 25+： | ￥17.486245 |
| 100+： | ￥13.637344 |
| 250+： | ￥13.287668 |
| 500+： | ￥11.53929 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥20.63