RGT30NL65DGTL
库存 ：1000
货期：（7~10天）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥30.519378 | ￥30.52 |
| 10 | ￥27.368592 | ￥273.69 |
| 25 | ￥25.82409 | ￥645.60 |
| 100 | ￥20.14279 | ￥2014.28 |
| 250 | ￥19.626308 | ￥4906.58 |
| 500 | ￥17.043899 | ￥8521.95 |
规格参数
关键信息
制造商 ROHM Semiconductor
商标 ROHM Semiconductor
技术类参数
技术 Si
配置 Single
击穿电压(集电极-发射极) 650 V
饱和电压 1.65 V
栅极/发射极最大电压 30 V
在25 C的连续集电极电流 30 A
耗散功率 133 W
栅极—射极漏泄电流 200 nA
物理类型
产品种类 IGBT 晶体管
安装风格 SMD/SMT
产品类型 IGBT Transistors
零件号别名 RGT30NL65D
RGT30NL65DGTL 同类别型号
注
RGT30NL65DGTL
型号：RGT30NL65DGTL
品牌：ROHM
供货：锐单
库存：1000 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥30.519378 |
| 10+： | ￥27.368592 |
| 25+： | ￥25.82409 |
| 100+： | ￥20.14279 |
| 250+： | ￥19.626308 |
| 500+： | ￥17.043899 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥30.52