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制造商 ROHM Semiconductor
商标 ROHM Semiconductor
技术 Si
配置 Single
击穿电压(集电极-发射极) 650 V
饱和电压 1.65 V
栅极/发射极最大电压 30 V
在25 C的连续集电极电流 30 A
耗散功率 133 W
栅极—射极漏泄电流 200 nA
产品种类 IGBT 晶体管
安装风格 SMD/SMT
产品类型 IGBT Transistors
零件号别名 RGT30NL65D
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0RGT30NL65DGTL
型号:RGT30NL65DGTL
品牌:ROHM
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