货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
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1 | ¥41.757731 | ¥41.76 |
10 | ¥37.509337 | ¥375.09 |
100 | ¥30.727638 | ¥3072.76 |
500 | ¥26.158254 | ¥13079.13 |
制造商 ROHM Semiconductor
商标 ROHM Semiconductor
技术 Si
配置 Single
击穿电压(集电极-发射极) 650 V
饱和电压 1.65 V
栅极/发射极最大电压 30 V
在25 C的连续集电极电流 48 A
耗散功率 194 W
栅极—射极漏泄电流 200 nA
产品种类 IGBT 晶体管
安装风格 SMD/SMT
产品类型 IGBT Transistors
零件号别名 RGT50NL65D
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0RGT50NL65DGTL
型号:RGT50NL65DGTL
品牌:ROHM
供货:锐单
单价:
1+: | ¥41.757731 |
10+: | ¥37.509337 |
100+: | ¥30.727638 |
500+: | ¥26.158254 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥41.76