RGT8TM65DGC9
库存 ：970
货期：（7~10天）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥20.38744 | ￥20.39 |
| 10 | ￥18.299272 | ￥182.99 |
| 25 | ￥17.268779 | ￥431.72 |
| 100 | ￥13.469302 | ￥1346.93 |
| 250 | ￥13.12358 | ￥3280.89 |
| 500 | ￥11.396702 | ￥5698.35 |
| 1000 | ￥9.669824 | ￥9669.82 |
规格参数
关键信息
制造商 ROHM Semiconductor
商标 ROHM Semiconductor
技术类参数
技术 Si
配置 Single
击穿电压(集电极-发射极) 650 V
饱和电压 1.65 V
栅极/发射极最大电压 30 V
在25 C的连续集电极电流 5 A
耗散功率 16 W
栅极—射极漏泄电流 200 nA
物理类型
产品种类 IGBT 晶体管
安装风格 Through Hole
产品类型 IGBT Transistors
RGT8TM65DGC9 同类别型号
注
RGT8TM65DGC9
型号：RGT8TM65DGC9
品牌：ROHM
供货：锐单
库存：970 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥20.38744 |
| 10+： | ￥18.299272 |
| 25+： | ￥17.268779 |
| 100+： | ￥13.469302 |
| 250+： | ￥13.12358 |
| 500+： | ￥11.396702 |
| 1000+： | ￥9.669824 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥20.39