库存 ：965
货期：（7~10天）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥31.322458 | ￥31.32 |
| 10 | ￥28.105174 | ￥281.05 |
| 100 | ￥22.591855 | ￥2259.19 |
| 500 | ￥18.561604 | ￥9280.80 |
| 1000 | ￥15.37947 | ￥15379.47 |
| 2000 | ￥15.009269 | ￥30018.54 |
规格参数
关键信息
制造商 ROHM Semiconductor
商标 ROHM Semiconductor
技术类参数
技术 Si
配置 Single
击穿电压(集电极-发射极) 650 V
饱和电压 1.65 V
栅极/发射极最大电压 30 V
在25 C的连续集电极电流 8 A
耗散功率 65 W
栅极—射极漏泄电流 200 nA
物理类型
产品种类 IGBT 晶体管
安装风格 Through Hole
产品类型 IGBT Transistors
零件号别名 RGT8NS65D(TO-262)
RGT8NS65DGC9 同类别型号
注
RGT8NS65DGC9
型号：RGT8NS65DGC9
品牌：ROHM
供货：锐单
库存：965 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥31.322458 |
| 10+： | ￥28.105174 |
| 100+： | ￥22.591855 |
| 500+： | ￥18.561604 |
| 1000+： | ￥15.37947 |
| 2000+： | ￥15.009269 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥31.32