货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥40.723444 | ¥40.72 |
10 | ¥36.576148 | ¥365.76 |
100 | ¥29.969207 | ¥2996.92 |
500 | ¥25.511863 | ¥12755.93 |
1000 | ¥21.515969 | ¥21515.97 |
2000 | ¥20.440171 | ¥40880.34 |
制造商 Infineon
商标 Infineon Technologies
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 60 V
漏极电流 100 A
漏源电阻 1.6 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2.1 V
栅极电荷 71 nC
耗散功率 139 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 9 ns
正向跨导(Min) 70 S
上升时间 9 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 35 ns
典型接通延迟时间 19 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 BSC016N06NST SP001657074
单位重量 104.400 mg
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0BSC016N06NSTATMA1
型号:BSC016N06NSTATMA1
品牌:INFINEON
供货:锐单
单价:
1+: | ¥40.723444 |
10+: | ¥36.576148 |
100+: | ¥29.969207 |
500+: | ¥25.511863 |
1000+: | ¥21.515969 |
2000+: | ¥20.440171 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥40.72