DMN2400UFDQ-7
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- 制造商编号：
- DMN2400UFDQ-7
- 制造商：
- DIODES(美台)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-单个
- 商品描述：
- MOSFET N-CH 20V 0.9A DFN1212-3
- 渠道：
- digikey
库存 ：0
货期： 8周-10周
起订量：3000
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 3000 | ￥0 | ￥0.00 |
规格参数
关键信息
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 20 V
漏极电流 900 mA
漏源电阻 350 mOhms
栅极电压 - 12 V, + 12 V
栅源极阈值电压 450 mV
栅极电荷 500 pC
耗散功率 800 mW
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 10.54 ns
上升时间 7.28 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 13.74 ns
典型接通延迟时间 4.06 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 MOSFET
单位重量 5 mg
DMN2400UFDQ-7 同类别型号
注
DMN2400UFDQ-7品牌厂家：DIODES
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
，可在锐单商城现货采购DMN2400UFDQ-7、查询DMN2400UFDQ-7代理商；
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替代型号
、DMN2400UFDQ-7
数据手册PDF
。
DMN2400UFDQ-7
型号：DMN2400UFDQ-7
品牌：DIODES
供货：锐单
库存：0 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 3000+： | ￥0 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥0.00