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数量 | 价格 | 总计 |
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1+ : 需询价 |
制造商 onsemi
商标 onsemi
技术 Si
晶体管极性 P-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 100 mA
漏源电阻 10.4 Ohms
栅极电压 - 10 V, + 10 V
栅源极阈值电压 1.4 V
栅极电荷 1.43 nC
耗散功率 150 mW
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 130 ns
正向跨导(Min) 110 mS
上升时间 55 ns
晶体管类型 1 P-Channel
典型关闭延迟时间 120 ns
典型接通延迟时间 24 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 6 mg
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03LP01M-TL-H
型号:3LP01M-TL-H
品牌:ON
供货:锐单
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货期:1-2天
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