SPB11N60C3ATMA1
-
图像仅供参考
请参阅产品规格
- 制造商编号：
- SPB11N60C3ATMA1
- 制造商：
- INFINEON(英飞凌)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-单个
- 商品描述：
- MOSFET N-CH 650V 11A D2PAK
- 渠道：
- digikey
库存 ：3542
货期：（7~10天）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥68.231756 | ￥68.23 |
| 10 | ￥45.176766 | ￥451.77 |
| 100 | ￥32.007732 | ￥3200.77 |
| 500 | ￥26.376929 | ￥13188.46 |
规格参数
属性
参数值
制造商型号
SPB11N60C3ATMA1
制造商
INFINEON(英飞凌)
商品描述
MOSFET N-CH 650V 11A D2PAK
包装
Cut Tape (CT)
Alternate Packaging
系列
CoolMOS™
零件状态
Not For New Designs
FET 类型
N-Channel
技术
MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压（Vdss）
650V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
11A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
380mOhm @ 7A, 10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
3.9V @ 500µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）
60nC @ 10V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
1200pF @ 25V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
125W (Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
供应商器件封装
PG-TO263-3-2
封装/外壳
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
SPB11N60C3ATMA1 相关产品
SPB11N60C3ATMA1 同类别型号
注
SPB11N60C3ATMA1品牌厂家：INFINEON
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
，可在锐单商城现货采购SPB11N60C3ATMA1、查询SPB11N60C3ATMA1代理商；
SPB11N60C3ATMA1价格批发咨询客服；这里拥有
SPB11N60C3ATMA1中文资料
、引脚图、Datasheet数据手册、pdf功能说明书、规格参数、 现货库存、封装信息、产品选型手册，还可快速找到SPB11N60C3ATMA1
替代型号
、SPB11N60C3ATMA1
数据手册PDF
。
SPB11N60C3ATMA1
型号：SPB11N60C3ATMA1
品牌：INFINEON
供货：锐单
库存：3542 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥68.231756 |
| 10+： | ￥45.176766 |
| 100+： | ￥32.007732 |
| 500+： | ￥26.376929 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥68.23