IPT65R195G7XTMA1
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- 制造商编号：
- IPT65R195G7XTMA1
- 制造商：
- INFINEON(英飞凌)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-单个
- 商品描述：
- MOSFET N-CH 650V 14A HSOF-8-2
- 渠道：
- 国内现货digikey
库存 ：有货
货期：国内（1~3工作日）
起订量：2000
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 2000 | ￥11.270102 | ￥22540.20 |
| 6000 | ￥10.268318 | ￥61609.91 |
规格参数
关键信息
制造商 Infineon
商标名 CoolMOS
商标 Infineon Technologies
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 650 V
漏极电流 14 A
漏源电阻 424 mOhms
栅极电压 - 30 V, + 30 V
栅源极阈值电压 3 V
栅极电荷 20 nC
耗散功率 97 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 9 ns
上升时间 5 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 46 ns
典型接通延迟时间 9 ns
外形参数
高度 2.4 mm
长度 10.58 mm
宽度 10.1 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 IPT65R195G7 SP001456206
单位重量 771.020 mg
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注
IPT65R195G7XTMA1品牌厂家：INFINEON
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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、IPT65R195G7XTMA1
数据手册PDF
。
IPT65R195G7XTMA1
型号：IPT65R195G7XTMA1
品牌：INFINEON
供货：锐单
库存：有货 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 2000+： | ￥11.270102 |
| 6000+： | ￥10.268318 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥0.00