货期:国内(1~3工作日)
起订量:5000
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
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5000 | ¥161.721814 | ¥808609.07 |
制造商 Infineon
商标名 OptiMOS
商标 Infineon Technologies
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 150 V
漏极电流 45 A
漏源电阻 13.1 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2 V
栅极电荷 35 nC
耗散功率 78 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 7 ns
正向跨导(Min) 24 S
湿度敏感性 Yes
上升时间 10 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 17 ns
典型接通延迟时间 10 ns
高度 0.7 mm
长度 6.35 mm
宽度 5.05 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 BSB165N15NZ3 G SP000617000
单位重量 86.370 mg
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0BSB165N15NZ3GXUMA1
型号:BSB165N15NZ3GXUMA1
品牌:INFINEON
供货:锐单
单价:
5000+: | ¥161.721814 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥0.00