货期:国内(1~3工作日)
起订量:2000
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
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2000 | ¥13.715934 | ¥27431.87 |
制造商 Infineon
商标 Infineon Technologies
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 80 V
漏极电流 165 A
漏源电阻 2.9 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2.2 V
栅极电荷 90 nC
耗散功率 167 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 29 ns
上升时间 9 ns
典型关闭延迟时间 23 ns
典型接通延迟时间 13 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 MOSFET
零件号别名 IAUT165N08S5N029 SP001585162
单位重量 771.020 mg
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0IAUT165N08S5N029ATMA2
型号:IAUT165N08S5N029ATMA2
品牌:INFINEON
供货:锐单
单价:
2000+: | ¥13.715934 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥0.00