FII30-12E
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- 制造商编号：
- FII30-12E
- 制造商：
- IXYS(艾赛斯.力特)
- 产品类别：
- 晶体管-IGBT阵列
- 商品描述：
- IGBT H BRIDGE 1200V 33A I4PAK5
- 渠道：
- digikey
库存 ：0
货期： 8周-10周
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定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ ： 需询价 | ||
规格参数
属性
参数值
制造商型号
FII30-12E
制造商
IXYS(艾赛斯.力特)
商品描述
IGBT H BRIDGE 1200V 33A I4PAK5
包装
-
系列
-
零件状态
Obsolete
IGBT 类型
NPT
配置
Half Bridge
电压 - 集射极击穿（最大值）
1200V
电流 - 集电极（Ic）（最大值）
33A
功率 - 最大值
150W
不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）
2.9V @ 15V, 20A
电流 - 集电极截止（最大值）
200µA
不同 Vce 时的输入电容（Cies）
1.2nF @ 25V
输入
Standard
NTC 热敏电阻
No
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Through Hole
封装/外壳
i4-Pac™-5
供应商器件封装
ISOPLUS i4-PAC™
FII30-12E 同类别型号
注
FII30-12E品牌厂家：IXYS
，所属分类： 晶体管-IGBT阵列
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、FII30-12E
数据手册PDF。
FII30-12E
型号：FII30-12E
品牌：IXYS
供货：锐单
库存：0 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
货期：1-2天
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