A3T21H456W23SR6
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请参阅产品规格
- 制造商编号：
- A3T21H456W23SR6
- 制造商：
- NXP(恩智浦)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-射频
- 商品描述：
- AIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTO
- 渠道：
- digikey
库存 ：0
货期： 8周-10周
起订量：150
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 150 | ￥1106.235371 | ￥165935.31 |
规格参数
关键信息
制造商 NXP
商标 NXP Semiconductors
技术类参数
晶体管极性 Dual N-Channel
技术 Si
漏极电流 1.6 A, 3.6 A
漏源击穿电压 - 500 mV, 65 V
工作频率 2110 MHz to 2200 MHz
输出功率 87 W
通道数量 2 Channel
栅极电压 - 6 V, 10 V
栅源极阈值电压 0.8 V, 1.4 V
规格参数
增益 15.5 dB
物理类型
产品种类 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
安装风格 SMD/SMT
产品类型 RF MOSFET Transistors
类型 RF Power MOSFET
零件号别名 935371527128
A3T21H456W23SR6 同类别型号
注
A3T21H456W23SR6品牌厂家：NXP
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-射频
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替代型号
、A3T21H456W23SR6
数据手册PDF。
A3T21H456W23SR6
型号：A3T21H456W23SR6
品牌：NXP
供货：锐单
库存：0 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 150+： | ￥1106.235371 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥0.00