MRF8VP13350GNR3
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- 制造商编号：
- MRF8VP13350GNR3
- 制造商：
- NXP(恩智浦)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-射频
- 商品描述：
- TRANS RF LDMOS 350W 50V
- 渠道：
- digikey
库存 ：1000
货期：（7~10天）
起订量：250
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 250 | ￥1635.692392 | ￥408923.10 |
规格参数
关键信息
制造商 NXP
商标 NXP Semiconductors
技术类参数
晶体管极性 Dual N-Channel
技术 Si
漏极电流 1.3 A
漏源击穿电压 - 500 mV, 100 V
工作频率 700 MHz to 1300 MHz
输出功率 350 W
通道数量 2 Channel
栅极电压 - 6 V, 10 V
栅源极阈值电压 1.3 V
规格参数
增益 19.2 dB
物理类型
产品种类 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
安装风格 SMD/SMT
产品类型 RF MOSFET Transistors
类型 RF Power MOSFET
零件号别名 935320727528
单位重量 3.065 g
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注
MRF8VP13350GNR3品牌厂家：NXP
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-射频
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替代型号
、MRF8VP13350GNR3
数据手册PDF
。
MRF8VP13350GNR3
型号：MRF8VP13350GNR3
品牌：NXP
供货：锐单
库存：1000 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 250+： | ￥1635.692392 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥0.00