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NTMD2C02R2SG

ROCHESTER(罗彻斯特电子)
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制造商编号:
NTMD2C02R2SG
制造商:
ROCHESTER(罗彻斯特电子)
产品类别:
射频晶体管
商品描述:
P-CHANNEL POWER MOSFET
渠道:
digikey

库存 :2500

货期:(7~10天)

起订量:1603

整装: ¥10

定价(含税)

数量 价格 总计
1603 2.347644 3763.27

规格参数

属性
参数值

制造商型号

NTMD2C02R2SG

制造商

ROCHESTER(罗彻斯特电子)

商品描述

P-CHANNEL POWER MOSFET

包装

Bulk

系列

-

零件状态

Obsolete

FET 类型

N and P-Channel

FET 功能

Logic Level Gate

漏源电压(Vdss)

20V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)

5.2A, 3.4A

不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)

43mOhm @ 4A, 4.5V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)

1.2V @ 250µA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值)

20nC @ 4.5V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)

1100pF @ 10V

功率 - 最大值

2W

工作温度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安装类型

Surface Mount

封装/外壳

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

供应商器件封装

8-SOIC

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型号:NTMD2C02R2SG

品牌:ROCHESTER

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