UT6MA3TCR
库存 ：100
货期：国内（1~3工作日）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥2.038886 | ￥2.04 |
| 30 | ￥1.968585 | ￥59.06 |
| 100 | ￥1.827971 | ￥182.80 |
| 500 | ￥1.687357 | ￥843.68 |
| 1000 | ￥1.617056 | ￥1617.06 |
规格参数
关键信息
制造商 ROHM Semiconductor
商标 ROHM Semiconductor
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel, P-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 20 V
漏极电流 5.5 A, 5 A
漏源电阻 30 mOhms, 42 mOhms
栅极电压 - 8 V, + 8 V
栅源极阈值电压 500 mV, 1.5 V
栅极电荷 4 nC, 6.5 nC
耗散功率 2 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 5.5 ns, 30 ns
正向跨导（Min） 3.1 S, 4.1 S
上升时间 5.9 ns, 36 ns
晶体管类型 1 N-Channel, 1 P-Channel
典型关闭延迟时间 24 ns, 50 ns
典型接通延迟时间 7.8 ns, 9 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 UT6MA3
单位重量 771.020 mg
UT6MA3TCR 同类别型号
注
UT6MA3TCR品牌厂家：ROHM
，所属分类： 射频晶体管
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替代型号
、UT6MA3TCR
数据手册PDF。
UT6MA3TCR
型号：UT6MA3TCR
品牌：ROHM
供货：锐单
库存：100 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥2.038886 |
| 30+： | ￥1.968585 |
| 100+： | ￥1.827971 |
| 500+： | ￥1.687357 |
| 1000+： | ￥1.617056 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥2.04