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NTLJD2105LTBG

ROCHESTER(罗彻斯特电子)
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制造商编号:
NTLJD2105LTBG
制造商:
ROCHESTER(罗彻斯特电子)
产品类别:
射频晶体管
商品描述:
P-CHANNEL POWER MOSFET
渠道:
digikey

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货期: 8周-10周

起订量:1250

整装: ¥10

定价(含税)

数量 价格 总计
1250 2.833509 3541.89

规格参数

属性
参数值

制造商型号

NTLJD2105LTBG

制造商

ROCHESTER(罗彻斯特电子)

商品描述

P-CHANNEL POWER MOSFET

包装

Bulk

系列

-

零件状态

Obsolete

FET 类型

N and P-Channel

FET 功能

Standard

漏源电压(Vdss)

8V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)

2.5A

不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)

50mOhm @ 4A, 4.5V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)

1V @ 250µA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值)

-

不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)

-

功率 - 最大值

520mW

工作温度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安装类型

Surface Mount

封装/外壳

6-WDFN Exposed Pad

供应商器件封装

6-WDFN (2x2)

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型号:NTLJD2105LTBG

品牌:ROCHESTER

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