货期:国内(1~3工作日)
起订量:250
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
250 | ¥5.211564 | ¥1302.89 |
500 | ¥4.605708 | ¥2302.85 |
1250 | ¥3.636093 | ¥4545.12 |
2500 | ¥3.393654 | ¥8484.14 |
6250 | ¥3.223969 | ¥20149.81 |
制造商 Texas Instruments
商标名 NexFET
商标 Texas Instruments
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 20 V
漏极电流 7 A
漏源电阻 24 mOhms
栅极电压 - 10 V, + 10 V
栅源极阈值电压 680 mV
栅极电荷 6 nC
耗散功率 1.7 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 99 ns
上升时间 54 ns
晶体管类型 2 N-Channel
典型关闭延迟时间 173 ns
典型接通延迟时间 37 ns
高度 0.22 mm
长度 1.35 mm
宽度 1.35 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 1.200 mg
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0CSD85302LT
型号:CSD85302LT
品牌:TI
供货:锐单
单价:
250+: | ¥5.211564 |
500+: | ¥4.605708 |
1250+: | ¥3.636093 |
2500+: | ¥3.393654 |
6250+: | ¥3.223969 |
货期:1-2天
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