CSD85302LT
库存 ：有货
货期：国内（1~3工作日）
起订量：250
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 250 | ￥4.261267 | ￥1065.32 |
| 500 | ￥3.765885 | ￥1882.94 |
| 1250 | ￥2.973073 | ￥3716.34 |
| 2500 | ￥2.774842 | ￥6937.11 |
| 6250 | ￥2.636097 | ￥16475.61 |
规格参数
关键信息
制造商 Texas Instruments
商标名 NexFET
商标 Texas Instruments
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 20 V
漏极电流 7 A
漏源电阻 24 mOhms
栅极电压 - 10 V, + 10 V
栅源极阈值电压 680 mV
栅极电荷 6 nC
耗散功率 1.7 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 99 ns
上升时间 54 ns
晶体管类型 2 N-Channel
典型关闭延迟时间 173 ns
典型接通延迟时间 37 ns
外形参数
高度 0.22 mm
长度 1.35 mm
宽度 1.35 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 1.200 mg
CSD85302LT 同类别型号
注
CSD85302LT品牌厂家：TI
，所属分类： 射频晶体管
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替代型号
、CSD85302LT
数据手册PDF
。
CSD85302LT
型号：CSD85302LT
品牌：TI
供货：锐单
库存：有货 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 250+： | ￥4.261267 |
| 500+： | ￥3.765885 |
| 1250+： | ￥2.973073 |
| 2500+： | ￥2.774842 |
| 6250+： | ￥2.636097 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥0.00