
货期:国内(1~3工作日)
起订量:50
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 50 | ¥877.087585 | ¥43854.38 |
制造商 NXP
商标 NXP Semiconductors
晶体管极性 Dual N-Channel
技术 Si
漏极电流 2.8 A
漏源击穿电压 - 500 mV, 115 V
工作频率 470 MHz to 860 MHz
输出功率 140 W
通道数量 2 Channel
耗散功率 1.25 kW
栅极电压 - 6 V, 10 V
栅源极阈值电压 1.3 V
增益 21 dB
产品种类 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
安装风格 SMD/SMT
产品类型 RF MOSFET Transistors
类型 RF Power MOSFET
零件号别名 935318365178
单位重量 13.164 g
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0MRFE8VP8600HR5
型号:MRFE8VP8600HR5
品牌:NXP
供货:锐单
单价:
| 50+: | ¥877.087585 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥0.00